Pesquisadores chineses desenvolvem tecnologia de transistor sem silício, afirmada como a mais rápida e eficiente já criada – aqui está o que sabemos
A equipe de pesquisadores chineses da Universidade de Pequim anunciou uma descoberta importante no desenvolvimento de transistores sem silício, baseados em um material bidimensional. Se comercializado, esse avanço pode mudar drasticamente o rumo do desenvolvimento de microprocessadores. O transistor de porta totalmente envolvente (GAAFET) foi criado com base no material bismuto oxisseleneto, apresentando velocidades 40% mais rápidas que os chips de 3nm da Intel e consumindo 10% menos energia do que processadores atuais da TSMC e Samsung.
Avanço dos transistores sem silício: A revolução na indústria de chips
A equipe de pesquisadores da Universidade de Pequim revelou um avanço significativo na tecnologia de transistores, que pode mudar o cenário da indústria de chips. Desenvolvido com base no material bidimensional bismuto oxisseleneto, o transistor de porta totalmente envolvente (GAAFET) promete velocidades 40% mais rápidas do que os chips de 3nm da Intel, enquanto consome 10% menos energia do que os processadores atuais de gigantes como a TSMC e Samsung.
Essa inovação pode representar uma mudança radical na maneira como os microprocessadores são desenvolvidos, potencialmente superando a tecnologia de chips de silício convencionais. Com a capacidade de melhorar a eficiência energética e o desempenho dos dispositivos, o transistor GAAFET poderia pavimentar o caminho para uma nova geração de processadores de alta performance.
